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    中國電科成功實現(xiàn)大尺寸碳化硅單晶片激光剝離

        
    
        
    
        
    發(fā)布時間：

        
    
        2022-08-17
        

        

        
    
        
    概要：

        
    

        

        
    
        
	  近日，中國電科2所激光剝離項目取得突破性進展，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離。
        

        
	
        

        
	  2所激光剝離設備有機結合激光精密加工和晶體可控剝離，實現(xiàn)半導體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時間減少50%以上，并實現(xiàn)晶體加工整線的高度自動化。
        

        
	 
        

        
	  下一步，2所激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產(chǎn)化、高良率化、全自動化、低能耗化”為目標，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動化設備貫線，為解決第三代半導體關鍵技術問題貢獻力量。